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下一代存儲芯片比現(xiàn)在快1000倍，預(yù)計明年研發(fā)成功

長江日報 2018-04-27 13:11:57

武漢光電國家研究中心研發(fā)團(tuán)隊正在全力研發(fā)“下一代存儲芯片”。研發(fā)負(fù)責(zé)人稱，“我們正在攻關(guān)的是基于相變存儲器的3D XPOINT存儲器技術(shù)，預(yù)計明年能在實(shí)驗室研發(fā)成功。到時候，芯片的讀寫速度會比現(xiàn)在快1000倍，可靠性提高1000倍，一旦產(chǎn)業(yè)化成功，將顛覆產(chǎn)業(yè)格局。目前，英特爾等產(chǎn)業(yè)巨頭也在研究這一方向。”負(fù)責(zé)人還表示，當(dāng)前我國95%的存儲器芯片依靠進(jìn)口。（長江日報）

責(zé)編 胡玲

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