2018-06-06 10:20:54
據(jù)悉,中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所突破了大直徑SiC生長(zhǎng)的溫場(chǎng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)可用于150mm直徑SiC單晶生長(zhǎng)爐高極限真空、低背景漏率生長(zhǎng)爐設(shè)計(jì)制造及小批量生產(chǎn);還突破了高純SiC粉料中的雜質(zhì)控制技術(shù)、粒度控制技術(shù)、晶型控制技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù),實(shí)現(xiàn)了99.9995%以上純度的SiC粉料的批量生產(chǎn)。(科技日?qǐng)?bào))
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