每經(jīng)記者 楊建    每經(jīng)編輯 何建川    

圖片來源：攝圖網(wǎng)

來源：道達號（微信號：daoda1997）

近日，科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導體器件制備及評價技術(shù)”項目驗收會。通過項目的實施，我國在第三代半導體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領(lǐng)域取得突破。

技術(shù)測市

周一大盤低開低走，大幅殺跌，成交量萎縮約8%；個股板塊普跌，科技股延續(xù)低迷表現(xiàn)，多股跌停，特高壓、燃氣板塊逆勢走強；收盤指數(shù)皆中陰，滬指下跌1.21%，創(chuàng)業(yè)板指下跌2.41%。

有私募人士表示，深成指90分鐘線、120分鐘線和日線全部再次鈍化，鈍化是形成背離的前提；深成指7月份以來形態(tài)上走成了明顯的下降楔形，楔形通常出現(xiàn)在大級別調(diào)整浪的末端；從浪型上看，指數(shù)處于某級別調(diào)整浪5浪5的末端。

從擇時九轉(zhuǎn)序列來看，各指數(shù)120分鐘明日下午低9，日線明日低8。綜上，盤面看似兇險，但轉(zhuǎn)機也在醞釀；明后兩日是重要的日子，尤其是明天下午，是容易產(chǎn)生轉(zhuǎn)折的時點。策略上，5浪的底，適合抄底。關(guān)注道達號微信公眾號，微信搜索“道達號”或“daoda1997”，為你呈現(xiàn)市場熱點。

熱點板塊

近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導體器件制備及評價技術(shù)”項目驗收會。通過項目的實施，我國在第三代半導體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領(lǐng)域取得突破。

中國開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平較低，阻礙國內(nèi)第三代半導體研究進展的重要因素是原始創(chuàng)新問題。隨著國家對第三代半導體材料的重視，近年來，我國半導體材料市場發(fā)展迅速。其中以碳化硅與氮化鎵為主的材料備受關(guān)注。

有市場人士認為，該項目取得的進展，顯示出我國在半導體前沿材料的研究方面取得了突破進展，有助于支撐我國在節(jié)能減排、現(xiàn)代信息工程、現(xiàn)代國防建設上的重大需求。近年來，國家和各地方政府陸續(xù)推出政策和產(chǎn)業(yè)扶持基金發(fā)展第三代半導體相關(guān)產(chǎn)業(yè)：地方政策在2016年大量出臺，福建、廣東等27個地區(qū)出臺第三代半導體相關(guān)政策近30條。

考慮到當前國內(nèi)的半導體產(chǎn)業(yè)投資基本上進入了國家主導的投資階段，2014年大基金的成立開啟了一輪國內(nèi)投資半導體的熱潮，無論是政府資金，還是產(chǎn)業(yè)資本都紛紛進入這個領(lǐng)域。隨著碳化硅和氮化鎵材料研發(fā)取得進展，第二期大基金的布局焦點應該會向上游的原材料和設備傾斜更多的資源，尤其是涉及第三代半導體材料氮化鎵和碳化硅這樣的上游材料公司有機會受到資金青睞。關(guān)注道達號微信公眾號，微信搜索“道達號”或“daoda1997”，為你呈現(xiàn)市場熱點。

板塊點將

海特高新：

中泰證券研報指出，化合物半導體芯片進展順利，年內(nèi)有望部分量產(chǎn)，技術(shù)研發(fā)方面，公司主要從事砷化鎵、氮化鎵、HBT及光電產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，上半年多項技術(shù)能力獲得實現(xiàn)，成功研發(fā)多款具備自主知識產(chǎn)權(quán)的核心集成電路技術(shù)，其中部分研發(fā)產(chǎn)品處于試生產(chǎn)階段且良率達到基本預期水平，具備初步量產(chǎn)能力。

能力建設方面，公司積極推進產(chǎn)線建設工作；上半年6寸第二/三代半導體集成電路芯片生產(chǎn)線通過環(huán)評。根據(jù)公司官網(wǎng)披露，產(chǎn)線建設規(guī)模：砷化鎵半導體芯片（6寸）40000片/年，氮化鎵半導體芯片（6寸）30000片/年。項目總投資14.2億元，其中環(huán)保投資4076萬元。

市場方面，上半年公司積極推廣射頻芯片、光電芯片等產(chǎn)品，目前與多家客戶達成合作并通過部分客戶產(chǎn)品驗證，產(chǎn)品可靠性獲得認可。公司2018年經(jīng)營計劃：全力推進芯片項目進展，提高技術(shù)工藝和產(chǎn)品良率，做好市場開拓和實現(xiàn)部分產(chǎn)品量產(chǎn)任務。

三安光電：

廣發(fā)證券研報指出，砷化鎵半導體的市場規(guī)模近百億美元，隨著4G時代的發(fā)展和5G及物聯(lián)網(wǎng)的崛起，多模多頻的砷化鎵微波功率器件需求量將大幅提升；氮化鎵半導體在新能源、智能電網(wǎng)、4C產(chǎn)業(yè)及物聯(lián)網(wǎng)的應用逐步拓展，潛在市場規(guī)模達94億美元；碳化硅功率半導體瞄準600V以上的市場，市場容量有望超過20億美元；政策積極推進集成電路的國產(chǎn)化，集成電路產(chǎn)業(yè)基金投資三安光電推動化合物半導體國產(chǎn)替代加速。

三安光電作為國內(nèi)LED芯片龍頭，具有強大的技術(shù)壁壘，在專利、客戶和產(chǎn)品方面遠遠領(lǐng)先于其他國內(nèi)廠商，有望受益于產(chǎn)能轉(zhuǎn)移和行業(yè)集中度提升；化合物半導體領(lǐng)域，公司在集成電路產(chǎn)業(yè)基金的助力下切入化合物半導體產(chǎn)業(yè)，并攜手環(huán)宇進行持續(xù)布局，2017年公司已布局完成6寸的GaAs和GaN部分產(chǎn)線，產(chǎn)品獲得部分客戶認證通過并進入小量產(chǎn)階段，達產(chǎn)后三安有望成為全球具有競爭力的半導體廠商。

（本文內(nèi)容僅供參考，不構(gòu)成投資建議。投資者據(jù)此入市，風險自擔。）