每經(jīng)記者 朱成祥    每經(jīng)編輯 文多    

11月6日，英飛凌在第三屆中國國際進口博覽會上宣布，將新增在華投資，擴大其無錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線。無錫工廠擴產(chǎn)后，將成為英飛凌最大的IGBT生產(chǎn)基地之一。英飛凌將以更豐富的IGBT產(chǎn)品線，滿足快速增長的可再生能源、新能源汽車等領域的應用需求。

進博會現(xiàn)場，英飛凌工作人員介紹道：“功率半導體主要應用于電力設備的電能變換和電路控制，比如說強電轉(zhuǎn)為弱電，弱電轉(zhuǎn)為強電。這是因為強電功率更大但不安全，因此在實際使用的時候才轉(zhuǎn)化為弱電。反之，太陽能電池板發(fā)電后，電力需要向電網(wǎng)輸送，就需要通過逆變器將弱電轉(zhuǎn)換為強電。”據(jù)其介紹，國內(nèi)兩大逆變器廠商陽光電源、華為均大量使用英飛凌的功率半導體。

MOS管（即MOSFET），和IGBT管是目前主流的兩種功率半導體。對于兩者的區(qū)別，上述工作人員補充道：“IGBT主要控制大功率（電力設備），MOS管用于控制低功率（電力設備）。”

英飛凌科技首席運營官Jochen Hanebeck表示：“中國在英飛凌的全球業(yè)務中占有重要的戰(zhàn)略地位。無錫工廠的升級擴能，不僅能進一步提升我們在中國的產(chǎn)能，而且還將幫助英飛凌鞏固其在全球IGBT業(yè)務發(fā)展中的領導地位。”

英飛凌科技大中華區(qū)首席財務官魏惟士在現(xiàn)場接受《每日經(jīng)濟新聞》記者采訪時還表示：“我們非常高興地看到中國推出新的政策、新的框架。我們覺得這是非常好的，英飛凌將根據(jù)中國發(fā)展的大框架制定公司戰(zhàn)略。”

封面圖片來源：攝圖網(wǎng)