2021年8月23日，英唐智控公眾號發(fā)布文章稱，其公司董事長胡慶周一行應(yīng)邀出席參加了其合作伙伴中天弘宇于22日在上海舉行的“自主研發(fā)、國際首創(chuàng)——先進(jìn)存儲技術(shù)發(fā)布會”。

據(jù)英唐智控稱，中天弘宇副總裁、CTO聶虹向與會來賓詳細(xì)介紹了其先進(jìn)存儲技術(shù)的創(chuàng)新原理、優(yōu)勢特點、產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。該技術(shù)由傳統(tǒng)的“熱電子注入”（CHE）升級為“二次電子倍增注入浮柵”，并創(chuàng)造性地對閃存存儲單元結(jié)構(gòu)進(jìn)行了重構(gòu)，使新的存儲單元突破短溝道穿通的難題并兼容標(biāo)準(zhǔn)的邏輯制程。運用這一技術(shù)的閃存產(chǎn)品，有著面積小、低功耗、大容量、低成本的特點，在汽車、工業(yè)、5G的領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊。

據(jù)了解，本次發(fā)布會可謂眾星云集，不但工程院倪光南院士通過視頻致辭，新思科技中國董事長兼全球資深副總裁葛群、國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會中國區(qū)總裁居龍、南芯半導(dǎo)體市場總監(jiān)劉崇、資深工藝專家官浩出席參與座談，上海市、浦東新區(qū)等相關(guān)部門領(lǐng)導(dǎo)也應(yīng)邀出席并致辭。對于本次發(fā)布的先進(jìn)存儲技術(shù)，倪光南院士表示：“本次發(fā)布的先進(jìn)存儲技術(shù)是一項重大發(fā)明，實現(xiàn)了中國存儲器底層技術(shù)零的突破，希望企業(yè)與集成電路行業(yè)企業(yè)一起發(fā)奮努力，設(shè)計創(chuàng)新更多自主原創(chuàng)的產(chǎn)品，提高自主原創(chuàng)存儲器的市場份額。”眾多重量級的行業(yè)、技術(shù)專家與政府領(lǐng)導(dǎo)的到會見證，可見中天弘宇對其原創(chuàng)發(fā)明技術(shù)底氣十足。

據(jù)英唐智控稱，聶虹在本次發(fā)布會上特意提到，中天弘宇將以電源管理芯片（PMIC）作為新技術(shù)的市場切入點，相關(guān)產(chǎn)品已經(jīng)在某頭部代工廠90nmBCD工藝平臺上的流片驗證成功。據(jù)行業(yè)人士分析，本次中天弘宇如此聲勢浩大為其自主研發(fā)的先進(jìn)存儲技術(shù)廣而告之，很大可能是因為其創(chuàng)新技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用已經(jīng)進(jìn)入到實質(zhì)性階段，其突破的90nm制程BCD工藝是當(dāng)前代工廠中主流BCD工藝平臺（130nm-180nm）較先進(jìn)的，意味著中天弘宇擁有明顯的技術(shù)和成本優(yōu)勢，急需在品牌推廣和市場拓展方面發(fā)力，以便加快其技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。擁有豐富客戶資源和強大分銷渠道優(yōu)勢的英唐智控自然而然是中天弘宇理想的合作伙伴。根據(jù)此前英唐智控公告，英唐智控于2020年11月與中天弘宇簽署了《合作協(xié)議》，協(xié)議主要內(nèi)容正是雙方將結(jié)合英唐智控在汽車、工業(yè)及移動通信領(lǐng)域的客戶資源和渠道分銷優(yōu)勢、中天弘宇先進(jìn)存儲技術(shù)在90nmBCD工藝平臺的技術(shù)優(yōu)勢，雙方將聯(lián)合開發(fā)電源管理類芯片，可見雙方早已是“心有靈犀”，鎖定了彼此的優(yōu)勢資源。

根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院的統(tǒng)計和預(yù)測，全球電源管理芯片市場規(guī)模2018年為250億美元，預(yù)計到2026年全球市場規(guī)模將達(dá)到565億美元，2018-2026期間年復(fù)合增長率(CAGR)為10.69%，其中以中國大陸為主的亞太地區(qū)是未來最大增長區(qū)域市場。本次技術(shù)發(fā)布會的召開，預(yù)示著雙方的合作很可能即將進(jìn)入實質(zhì)階段。擁有本土客戶資源優(yōu)勢和原創(chuàng)技術(shù)優(yōu)勢的英唐智控與中天弘宇的聯(lián)合，是否會激起電源管理芯片市場的新浪潮，拭目以待。

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