每經(jīng)AI快訊，有投資者在投資者互動平臺提問：你好 公司有涉及碳化硅嗎？

賽微電子（300456.SZ）4月5日在投資者互動平臺表示，GaN和SiC都屬于第三代半導體，在寬禁帶和擊穿電場方面都有相同的特性，都適合做功率電子應(yīng)用，氮化鎵具有高導通能力，氮化鎵的異質(zhì)結(jié)是碳化硅不具備的，因此，氮化鎵相對碳化硅更具有速率和效率方面的優(yōu)勢；另一方面碳化硅起步較早，更加成熟，有一定的成本優(yōu)勢，良率、熱導率也會更好些，因此在超高壓大功率有更強的散熱優(yōu)勢。簡單來說，在功率系統(tǒng)里，大于10KW以上的汽車逆變器、軌道交通、發(fā)電等應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅更有優(yōu)勢，在10KW以下的快充、智能家電、無線充電、服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域，氮化鎵有更多的優(yōu)勢。當然，以上屬于我們公司的理解，不一定權(quán)威，還請投資者多方咨詢確認。公司在碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）材料及制造方面同樣具有技術(shù)儲備，但在8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）方面的技術(shù)儲備與競爭力方面更為突出，材料技術(shù)與工藝制造能力都是為產(chǎn)品服務(wù)，具體取決于客戶需求

(記者 王曉波)

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