作為國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應用SiC器件的公司，在SiC功率器件領域，比亞迪半導體于2020年取得重大技術突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機驅(qū)動控制器中的規(guī)?；瘧?。

時隔不到2年，比亞迪半導體于近期全新推出1200V 1040A SiC功率模塊，模塊功率再創(chuàng)新高！

1200V 1040A高功率SiC模塊

“模”力超群匹配更高功率新能源汽車平臺應用

相較于市場主流的SiC功率模塊，1200V 1040A SiC功率模塊成功克服了模塊空間限制的難題，在不改變原有模塊封裝尺寸的基礎上將模塊功率大幅提升了近30%，主要應用于新能源汽車電機驅(qū)動控制器。它突破了高溫封裝材料、高壽命互連設計、高散熱設計及車規(guī)級驗證等技術難題，充分發(fā)揮了SiC功率器件的高效、高頻、耐高溫優(yōu)勢。

1200V 1040A高功率SiC模塊

作為比亞迪半導體當前最高功率的SiC模塊，這款產(chǎn)品充分展現(xiàn)了比亞迪半導體對高效率的極致追求，后續(xù)也將匹配更高功率新能源汽車平臺應用，充分發(fā)揮其大功率優(yōu)勢。

雙面燒結(jié)工藝助力功率提升

1200V 1040A SiC功率模塊，采用了雙面燒結(jié)工藝，即SiC MOSFET上下表面均采用燒結(jié)工藝進行連接，具備更出色的工藝優(yōu)勢與可靠性。

1.芯片下表面燒結(jié)工藝，連接層導熱率與可靠性提高

SiC MOSFET芯片下表面采用燒結(jié)工藝，相比傳統(tǒng)焊接工藝模塊，連接層導熱率最大可提升10倍，可靠性更是可提升5倍以上；

2.芯片上表面燒結(jié)工藝，提升模塊工作結(jié)溫

芯片上表面采用燒結(jié)工藝，因燒結(jié)層具有的高耐溫特性，SiC模塊工作結(jié)溫可提升至175℃，試驗證明，其可靠性是傳統(tǒng)工藝的4倍以上。

功率模塊封裝中幾種上表面工藝的優(yōu)劣對比

向高效率、高集成、高可靠性方向不斷前進

比亞迪半導體致力于共同構(gòu)建車規(guī)級半導體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新生態(tài)，助力實現(xiàn)車規(guī)級半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)自主安全可控的目標。公司不斷加強科技創(chuàng)新能力，重視基礎科學研究和工藝創(chuàng)新，上下游產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同合作實現(xiàn)產(chǎn)品性能最優(yōu)比，以車規(guī)級半導體為核心持續(xù)拓展下游應用場景。

車規(guī)級半導體整體解決方案

在功率半導體方面，經(jīng)過多年的技術積累及發(fā)展整合，比亞迪半導體已成為國內(nèi)少數(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)車規(guī)級功率半導體量產(chǎn)裝車的IDM廠商之一，形成了包含芯片設計、晶圓制造、模塊封裝與測試、系統(tǒng)級應用測試的完整產(chǎn)業(yè)鏈。同時比亞迪半導體擁有突出的科技創(chuàng)新能力，所生產(chǎn)的車規(guī)級功率半導體已在新能源汽車廠商中得到充分驗證并進行了批量應用，在車規(guī)級功率半導體領域?qū)崿F(xiàn)自主可控及重大突破。

自2005年布局功率半導體領域以來，比亞迪半導體篳路藍縷，一步一個腳印，先后在功率芯片發(fā)布完全自主研發(fā)的2.5代、4.0代、5.0代車用IGBT技術，并于2022年自主研發(fā)出最新一代精細化溝槽柵復合場終止IGBT6.0技術，產(chǎn)品性能及可靠性大幅提升，達到國際領先水平。

IGBT晶圓

此外，在模塊封裝方面，比亞迪半導體也勤勤懇懇、不懈努力，迄今已成功開發(fā)出一系列擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的功率模塊，累計裝車量和國內(nèi)市占率領先。

作為國內(nèi)首批自主研發(fā)并批量應用車規(guī)SiC功率模塊的半導體公司，比亞迪半導體以高效為核心，重點提升功率半導體效率，降低功率損耗；以智能、集成為核心，重點提高關鍵芯片智能化程度，滿足車規(guī)級高控制能力需求，最終達到集成化方案和協(xié)同化應用的高度融合，使整車在定義智能化汽車當中實現(xiàn)所有的功能協(xié)同應用。

后續(xù)，比亞迪半導體在功率半導體領域?qū)⒊掷m(xù)深耕，在提高產(chǎn)品技術、完善產(chǎn)品系列等加強自身能力技術的基礎上同步實現(xiàn)產(chǎn)品的優(yōu)化升級，不斷優(yōu)化提升功率器件及模塊性能，向高效率、高集成、高可靠性方向繼續(xù)前行。

（本文不構(gòu)成任何投資建議，投資者據(jù)此操作，風險自擔。）