每經(jīng)記者 朱成祥    每經(jīng)編輯 梁梟    

7月20日，2023世界半導體大會開幕式在南京舉行，中國工程院院士倪光南發(fā)表主題演講。他提供了一組數(shù)據(jù)：中國單位GDP的數(shù)據(jù)存儲量只有美國70%左右，而人均數(shù)據(jù)存儲量，美國是中國的9倍。美國為212GB/人，中國約為25GB/人。說明中國數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)業(yè)大有可為，前景應該是非常棒的。

當前（數(shù)據(jù)量）很大的推動來自于大模型、大預言模型、生成式AI。倪光南預計，2025年中國將超過美國，成為世界第一數(shù)據(jù)大國。其認為，中國是名副其實的數(shù)據(jù)大國，而擁有強大、先進的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)業(yè)作為支撐，才能有發(fā)展的主動權。

關于行業(yè)發(fā)展趨勢，倪光南指出，當前新一輪科技革命，其中有一項重大技術變革正在發(fā)展。這是基于半導體技術形成新型產(chǎn)品，替代基于機械技術的產(chǎn)品。這是客觀趨勢，而且正在加速進行。

倪光南發(fā)表主題演講 圖片來源：每經(jīng)記者 朱成祥 攝

倪光南具體說明道，從閃存占比看，全球是41.3%，美國是56.4%，而中國只有20.3%。因此，倪光南建議通過政策引導，力推SSD（固態(tài)硬盤）取代HDD（機械硬盤）。

關于存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈，倪光南介紹稱，于中國而言，新型半導體存儲產(chǎn)業(yè)鏈是比較完整的。上游芯片方面，NAND Flash領域有長江存儲；DRAM有長鑫。閃存主控芯片方面，十幾家都可以做。

此外，他也表示，生產(chǎn)NAND Flash存儲芯片的核心設備是刻蝕機，中微公司的刻蝕機已經(jīng)突破5nm工藝，達到國際領先水平。生產(chǎn)SSD主控芯片和DRAM的光刻機工藝為12～28nm，都不需要用到EUV光刻機，所以其芯片生產(chǎn)和裝備基本上不會被“卡脖子”。

倪光南也列出了生產(chǎn)NAND Flash顆粒的世界排名，長江存儲排名第六位，市場份額在5%左右。

綜合來說，倪光南認為，當前是發(fā)展中國數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)很好的時機，也有很大的挑戰(zhàn)。他也給出相關建議：為促進產(chǎn)業(yè)更好的發(fā)展，以“行標”或“團標”的方式，發(fā)布“算力中心建設指南”，提出“算力”與“存力”的適當比率范圍；提出“存力”中采用SSD先進存力的適當比率范圍，避免大力發(fā)展算力中心建設中的某些傾向，均衡部署，均衡發(fā)展，搶占新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的制高點。