10月17日，三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Lee Jung-Bae發(fā)表文章稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的運(yùn)行芯片，希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；該公司還正在開發(fā)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的11納米級DRAM芯片。他還表示，對于DRAM，三星正在研發(fā)3D堆疊結(jié)構(gòu)和新材料；對于NAND閃存，正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。三星計(jì)劃于10月20日在硅谷舉辦“2023三星存儲技術(shù)日”。（界面）