每經AI快訊，有投資者在投資者互動平臺提問：貴司碳化硅SiC溝槽柵MOSFET關鍵的溝槽結構技術、溝槽刻蝕技術和溝槽柵氧技術的研究進展如何？對未來新型溝槽技術發(fā)展趨勢進行展望。 以株洲中車時代半導體有限公司為代表，開發(fā)了周期性柵氧電場屏蔽技術，在三維方向形成對柵氧化層直接與間接的屏蔽[106]，實現了3.0 mΩ⋅cm2的比導通電阻、1 400 V的阻斷電壓芯片樣品的制備，未來該產品前景展望一下。

時代電氣（688187.SH）12月4日在投資者互動平臺表示，我們當前量產產品的技術還是基于平面柵技術的發(fā)展和升級，已達到當前市場主流水平。

(記者 畢陸名)

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