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賽微電子:聚能創(chuàng)芯的8英寸硅基GaN外延生長(zhǎng)技術(shù)在業(yè)界處于領(lǐng)先水平

每日經(jīng)濟(jì)新聞 2024-03-18 16:08:43

每經(jīng)AI快訊,有投資者在投資者互動(dòng)平臺(tái)提問(wèn):董秘您好,公司氮化鎵(GaN)外延材料及器件的研發(fā)生產(chǎn)能力和在研制 8 英 寸硅基氮化鎵外延晶圓方面在業(yè)界處于什么水平?謝謝

賽微電子(300456.SZ)3月17日在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,聚能創(chuàng)芯的8英寸硅基GaN外延生長(zhǎng)技術(shù)在業(yè)界處于領(lǐng)先水平;聚能創(chuàng)芯完成融資后不再是公司控股子公司,不再納入公司合并報(bào)表范圍;但這并不意味著公司不再關(guān)注GaN領(lǐng)域,公司是以新的角色繼續(xù)關(guān)注、支持聚能創(chuàng)芯氮化鎵(GaN)業(yè)務(wù)的發(fā)展。

(記者 蔡鼎)

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