每經(jīng)記者 朱成祥    每經(jīng)編輯 梁梟    

8月19日晚間，士蘭微（600460.SH，股價(jià)19.9元，市值331.15億元）披露2024年中報(bào)。財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入52.74億元，同比增長(zhǎng)17.83%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為﹣2492.39萬元，上年同期為﹣4121.89萬元；扣非后凈利潤(rùn)1.26億元，同比下降22.39%。

對(duì)于凈利潤(rùn)虧損，士蘭微表示，公司持有的其他非流動(dòng)金融資產(chǎn)中昱能科技（688348.SH，股價(jià)43.78元，市值68.42億元）、安路科技（688107.SH，股價(jià)20.04元，市值80.33億元）股票價(jià)格下跌，導(dǎo)致其公允價(jià)值變動(dòng)產(chǎn)生的稅后凈收益為﹣1.62億元。

此外，記者觀察到，士蘭微2024年中報(bào)計(jì)提固定資產(chǎn)折舊5.35億元，而上年同期固定資產(chǎn)折舊為3.73億元。

營(yíng)收增長(zhǎng)，部分產(chǎn)品毛利率下降

2024年上半年，士蘭微集成電路的營(yíng)業(yè)收入為20.35億元，較上年同期增長(zhǎng)約29%。士蘭微稱，公司IPM（功能功率）模塊、AC-DC（交流直流）電路、32位MCU（微控制單元）電路、快充電路等產(chǎn)品的出貨量明顯加快。

其中，士蘭微IPM模塊的營(yíng)業(yè)收入達(dá)到14.13億元，較上年同期增長(zhǎng)約50%。2024年上半年，國(guó)內(nèi)多家主流的白電整機(jī)廠商在變頻空調(diào)等白電整機(jī)上使用了超過8300萬顆士蘭IPM模塊，比上年同期增加約56%。士蘭微表示，預(yù)期今后公司IPM模塊的營(yíng)業(yè)收入將會(huì)繼續(xù)快速成長(zhǎng)。

分立器件方面，士蘭微該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入23.99億元，較上年同期增長(zhǎng)約4%。雖然分立器件整體微增，但較為高端的IGBT和碳化硅產(chǎn)品增長(zhǎng)顯著。2024年上半年，士蘭微IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）（模塊、器件）的營(yíng)業(yè)收入已達(dá)到7.83億元，較去年同期增長(zhǎng)30%以上。

雖然主力產(chǎn)品保持增長(zhǎng)，但士蘭微毛利率有所下降。報(bào)告期內(nèi)，士蘭微持續(xù)加大模擬電路、IGBT器件、IPM智能功率模塊、PIM（IGBT功率集成模塊）功率模塊、碳化硅功率模塊、超結(jié)MOSFET（金屬氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管）器件、MCU電路、化合物芯片和器件等產(chǎn)品在大型白電、通信、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場(chǎng)的推廣力度，公司總體營(yíng)收較去年同期增長(zhǎng)約18%。但同時(shí)，由于下游電動(dòng)汽車、新能源市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，部分產(chǎn)品價(jià)格下降較快，產(chǎn)品毛利率降低。對(duì)此，士蘭微進(jìn)一步推出更高性能和更優(yōu)成本的產(chǎn)品，積極擴(kuò)大市場(chǎng)份額。

上半年計(jì)提固定資產(chǎn)折舊5.35億元

對(duì)于凈利潤(rùn)虧損，士蘭微也表示，報(bào)告期內(nèi)，公司子公司士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線尚處于產(chǎn)能爬坡階段，SiC芯片產(chǎn)出相對(duì)較少，資產(chǎn)折舊等固定生產(chǎn)成本相對(duì)較高，導(dǎo)致其虧損較大。

士蘭微稱，2024年上半年，公司加快推進(jìn)“士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目的建設(shè)。截至目前，士蘭明鎵（廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司）已形成月產(chǎn)6000片6吋（英寸）SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)三季度末產(chǎn)能將達(dá)到9000片/月，預(yù)計(jì)2024年年底產(chǎn)能將達(dá)到1.2萬片/月。

2024年上半年，士蘭微合計(jì)計(jì)提固定資產(chǎn)折舊5.35億元，其中專用設(shè)備計(jì)提折舊4.82億元。值得注意的是，目前士蘭微仍有大規(guī)模產(chǎn)能建設(shè)。截至2024年中報(bào)期末，士蘭微在建工程18.18億元，較上年末增長(zhǎng)21.43%。

盡管6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線尚在產(chǎn)能爬坡，士蘭微又欲建設(shè)8英寸SiC功率器件產(chǎn)線。

2024年5月21日，廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府與士蘭微電子在廈門共同簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》：各方合作在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條以SiC MOSFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。該項(xiàng)目分兩期建設(shè)，項(xiàng)目一期投資規(guī)模70億元，二期投資規(guī)模約50億元，兩期建設(shè)完成后，將形成年產(chǎn)72萬片（折合6萬片月產(chǎn)能）8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

可以看出，如果士蘭微建成月產(chǎn)6萬片8英寸SiC功率器件，其碳化硅器件產(chǎn)能將大幅擴(kuò)張。若碳化硅產(chǎn)品收入跟不上產(chǎn)能擴(kuò)張，產(chǎn)線折舊將對(duì)上市公司凈利潤(rùn)帶來沖擊。

碳化硅產(chǎn)品需求側(cè)方面，士蘭微稱，2024年上半年，基于公司自主研發(fā)的Ⅱ代SiC MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已通過吉利、匯川等客戶驗(yàn)證，并開始實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。公司已初步完成第Ⅲ代平面柵SiC MOSFET技術(shù)的開發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平。公司正在加快產(chǎn)能建設(shè)和升級(jí)，盡快將第Ⅲ代平面柵SiC MOSFET芯片導(dǎo)入量產(chǎn)。

士蘭微表示，公司正在加快汽車級(jí)IGBT芯片、SiC MOSFET芯片和汽車級(jí)功率模塊（PIM）產(chǎn)能的建設(shè)，預(yù)計(jì)今后公司IGBT器件成品和芯片、PIM模塊（IGBT模塊和SiC模塊）等產(chǎn)品的營(yíng)業(yè)收入將快速成長(zhǎng)。

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